【外延论文】激光烧蚀 Ga₂O₃ 薄膜中居里温度为 500 K 的铁磁性

        由捷克共和国马萨里克大学的研究团队在学术期刊 Materials Chemistry and Physics 发布了一篇名为 Ferromagnetism with Curie temperature of 500 K in laser-ablated Ga₂O₃ thin films（激光烧蚀 Ga₂O₃ 薄膜中居里温度为 500 K 的铁磁性）的文章。

摘要

        半导体氧化物薄膜中的室温铁磁性在自旋电子学应用中具有巨大潜力。在本研究中，该团队采用脉冲激光沉积技术在 C-cut 在 Al₂O₃ 基底上制备了 Ga₂O₃ 薄膜，并发现其表现出稳健的室温铁磁性。X 射线衍射分析证实，当薄膜在 100 % 氧气和 100 % 氩气的环境中沉积时，可分别获得 β-Ga₂O₃ 和 α-Ga₂O₃ 相。另一方面，X 射线光电子能谱分析揭示了这两种相之间氧空位和镓氧化态的显著差异。磁性测量进一步证实了薄膜具有明显的面内铁磁性。观察到约 500 K 的高居里温度。这些结果表明，通过相控制、厚度变化和缺陷工程可以有效调节 Ga₂O₃ 薄膜的磁性，为自旋电子学器件的应用提供了一条有效途径。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2026.132822