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【标准动态】华润微电子中央研究院牵头制定氧化镓检测团标发布,助力超宽禁带半导体产业标准体系建设

日期:2026-08-04阅读:53

        近日,无锡华润微电子有限公司牵头制定的团体标准《氧化镓单晶抛光片位错密度检测方法 X射线形貌法》正式发布。作为该团体标准的牵头单位,华润微电子中央研究院主导了标准框架设计与核心技术指标的制定,为氧化镓衬底质量评价确立了统一、稳定的无损检测技术规范,为行业提供了重要参考。该标准的发布实施,将进一步推动氧化镓材料检测评价体系完善,为提升材料质量控制水平、促进超宽禁带半导体产业发展提供重要支撑。

 

迈向“无损化、标准化”新阶段

填补国内技术空白

        此次发布的团体标准,标志着我国氧化镓材料质量评价体系迈入无损化、标准化、精准化的新阶段,是推动超宽禁带半导体产业高质量发展的关键一步。标准以X射线形貌技术为核心,构建了衬底缺陷检测的统一技术规范,不仅有效破解了长期制约良率提升的检测瓶颈,更从源头为器件可靠性提供了有力保障。在全球化竞争日趋激烈的背景下,此项标准的落地实施,填补了国内该领域的技术空白,提升了我国在宽禁带半导体材料领域的话语权和主导力,为加速氧化镓从材料创新到规模化应用的跨越、打造自主可控的产业链生态提供了坚实的标准支撑,具有深远的战略价值。

 

产学研用深度协同

凝聚行业最大共识

        标准的制定与发布,是产业链上下游、高校及科研机构协同推进的成果。华润微电子中央研究院充分发挥牵头单位作用,统筹推进标准框架设计、技术指标论证及起草工作;亚洲氧化镓联盟积极发挥产业组织与协同平台作用,高效组织协调各阶段任务衔接、会议交流及意见汇总,保障制定工作高效、有序开展。

        该标准凝聚了我国氧化镓领域顶尖的科研与产业力量,由无锡华润微电子有限公司牵头,联合以下单位共同负责起草:

        武汉大学工业科学研究院、杭州市富阳区镓谷氧化镓产业发展服务中心(亚洲氧化镓联盟)、中国电子科技集团公司第四十六研究所、杭州富加镓业科技有限公司、杭州镓仁半导体有限公司、中国科学院上海光学精密机械研究所、山东大学、北京镓创科技有限公司、苏州镓和半导体有限公司、进化半导体(深圳)有限公司、北京铭镓半导体有限公司、宁波镭晶科技有限公司、同济大学。

 

蓄力国家标准

持续深耕超宽禁带半导体

        作为氧化镓产业标准化建设的重要实践,此次标准发布也将为后续相关标准体系完善提供支撑。在此基础上,此次标准制定与发布也为后续关于《氧化镓衬底缺陷无损检测方法》的国家标准建设积累了技术基础和实践经验未来,华润微电子中央研究院将继续围绕氧化镓材料质量评价、检测技术规范等方向深入布局,积极参与国家标准相关研究与制定工作,在推动产业标准体系完善、提升我国氧化镓领域技术影响力方面贡献更大力量。