【国际论文】氩气环境下的沉积后退火温度对射频磁控溅射氧化镓薄膜的结构、光学和电气特性的影响

        近日由马来西亚理科大学纳米光电子技术研究所团队在学术期刊《sciencedirect》刊登了一篇名为Effects of Post-Deposition Annealing Temperatures in Argon Ambient on Structural, Optical, and Electrical Characteristics of RF Magnetron Sputtered Gallium Oxide Films（氩气环境下的沉积后退火温度对射频磁控溅射氧化镓薄膜的结构、光学和电气特性的影响）的学术论文。该篇论文主要内容为在氩气环境下进行了不同的沉积后退火温度，研究了在氩气环境下的沉积后退火温度（400、600、800和1000℃）对射频磁控溅射氧化镓（Ga₂O₃）薄膜的结构、形态、光学和电气特性的影响。

图1. 在氩气环境下，在400（插图）、600、800和1000°C的沉积后退火温度下，Ga₂O₃薄膜的HRXRD光谱

图2. 氩气环境下，在400、600、800和1000℃的沉积后退火温度下，Ga₂O₃薄膜的纹理系数

图3. 在氩气环境下，在400、600、800和1000℃的沉积后退火温度下，Ga₂O₃薄膜的晶粒尺寸、微应变和取向度

图4. 在（a）400℃，（b）600℃，（c）800℃[43]，（d）1000℃，以及（e）氩气环境下1000℃的Ga₂O₃薄膜的界面层中受到沉积后退火温度的横截面扫描电子显微镜图像