【国际论文】基于Ga₂O₃/GaN异质面的高响应性自驱动宽波段紫外光电探测器

        近日，在美国化学会出版物(ACS Publications)上由印度科学与创新研究学院，CSIR-HRDC校区发表了一篇名为Ga₂O₃/GaN Heterointerface-Based Self-Driven Broad-Band Ultraviolet Photodetectors with High Responsivity的论文文章。该文的简要内容为：响应多种紫外线（UV）波长（230-400nm）的宽频带紫外线（BBUV）光电探测器（PDs）在各个领域受到了相当大的关注，如导弹警告、火灾报警、天文成像等。由于对BBUVPDs的需求增加，需要有节能的自驱动装置。这项工作使用了一个简单的热氧化工艺来开发基于β-Ga₂O₃/GaN异质面的器件，该器件在自驱动、低偏压和光谱广泛的响应范围内显示出超高的性能。该器件在自驱动工作模式下表现出优异的稳定性能，在266nm光照下具有1.2×10³ mA W^-1的超高响应性和3.8×10²%的极高外部量子效率。此外，该器件在光电导模式（@5 V）下的性能显示出2.21 × 10⁵ mA W^-1的超高响应性，10^-14 W Hz^-1/2的极低噪声等效功率，以及10⁴%的极高外部量子效率。此外，该装置对355纳米的照明波长有反应，在0 V（5 V）的应用偏压下，反应率为0.74 mA W^-1（2.2 × 10⁴mA W^-1）。这项研究将促进创造下一代光电器件的前景，以理解和利用Ga₂O₃/GaN异质界面器件。