【国际论文】κ-Ga₂O₃/AlN异质结面上的二维空穴气体形成

        由俄罗斯国家研究型技术大学为主导，在科学期刊《sciencedirect》刊登了名为Two-dimensional hole gas formation at the κ-Ga₂O₃/AlN heterojunction interface（κ-Ga₂O₃/AlN异质结面上的二维空穴气体形成）的氧化镓相关文章。

主要内容摘要

        通常情况下，半导体氧化物和氮化物表现出强烈的导电性类型不对称性。在此次实验中，我们观察并解释了κ-Ga₂O₃/AlN界面上出现的p型导电性。通过卤化物气相外延（HVPE）在AlN/Si基板上沉积了轻度掺锡κ-Ga₂O₃薄膜。对沉积在该层表面的Ni 肖特基二极管和Ti/Au欧姆接触的电容-电压（C-V）、电流-电压（I-V）测量意外地显示出p型行为，而用不同光束能量收集的电子束诱导电流（EBIC）图像表明，EBIC收集发生在Ga₂O₃/AlN界面附近，这也意味着在该界面形成p型层。考虑到κ-Ga₂O₃和AlN的自发电极化的差异，我们对这种效应进行了建模，这表明在这个界面上可以形成一个二维空穴层。检测该层的可能性取决于κ-Ga₂O₃的掺杂水平和厚度之间的平衡。

原文链接：https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0925838822047065