【会议论文】β-Ga₂O₃非易失性闪存的首次演示

        论文简介：来自阿卜杜拉国王科技大学先进的半导体实验室电气和计算机工程项目和印度理工学院电子和通信工程系的Vishal Khandelwal、Manoj Kumar Rajbhar、Biplab Sarkar和Xiaohang Li联合发表的一篇名为《First demonstration of β-Ga₂O₃ non-volatile flash memory》的论文文章。该文章介绍了β-Ga₂O₃非易失性闪存的首次演示。