【器件论文】采用准分子光激活由水系前驱体制备的高迁移率氧化铟镓薄膜晶体管

        由日本大阪工业大学的研究团队在学术会议International Conference on Display Technology (ICDT 2026) 发布了一篇名为High-Mobility Indium Gallium Oxide TFTs Fabricated from an Aqueous Precursor with Excimer-Light Activation（采用准分子光激活由水系前驱体制备的高迁移率铟镓氧化物薄膜晶体管）的文章。

摘要

        172 nm 准分子光辅助水溶液工艺可在 200 ℃ 低温条件下形成多晶 In₂O₃ 薄膜，并通过优化退火工艺实现超过 100 cm²/V·s 的载流子迁移率。Ga 掺杂在保持高迁移率的同时，有效抑制了界面陷阱和迟滞现象，为高性能氧化物背板的制备提供了一种可规模化、无真空、低热预算的工艺路线。

原文链接：

https://doi.org/10.1002/sdtp.70001_460