【器件论文】具有超高压移动率的环绕式 WSe₂/β-Ga₂O₃ p-n 异质结晶体管，可实现基于 NDR 的多级逻辑与存储器

        由韩国电气技术研究院的研究团队在学术期刊 ECS Meeting Abstracts 发布了一篇名为 Junction-All-Around WSe₂/β-Ga₂O₃ p-n Heterojunction Transistor with Ultra-High Mobility Enabling NDR-Based Multilevel Logic and Memory（具有超高压移动率的环绕式 WSe₂/β-Ga₂O₃ p-n 异质结晶体管，可实现基于 NDR 的多级逻辑与存储器）的文章。

摘要

        β-氧化镓（β-Ga₂O₃）因其超宽带隙（4.9eV）和克服硅（Si）在大功率和高频电子领域固有局限性的强大潜力，作为下一代宽带隙半导体受到了广泛关注。随着人工智能（AI）和高性能计算系统的迅速发展，迫切需要能够维持高功率密度和快速开关操作的半导体平台，同时支持超越传统布尔逻辑的日益复杂的计算范式，例如将逻辑和存储器集成在单一平台上的节能内存中处理（PIM）架构。尽管传统的硅基器件从根本上受限于其较低的开/关比和迁移率限制，但 β-Ga₂O₃ 在操作稳健性和功率处理能力方面提供了有前景的替代方案。然而，β-Ga₂O₃ 固有的低场效应迁移率——在传统晶体管架构中通常约为 20 cm²/V∙s ——仍是关键瓶颈，限制了高速开关和面向先进人工智能的计算功能的实现。

原文链接：

https://doi.org/10.1149/MA2026-01331498mtgabs