【会员新闻】国镓晶谷突破卡脖子壁垒！氧化镓零孪晶技术重塑日盲紫外探测新格局

        氧化镓作为第四代超宽禁带半导体材料，凭借4.4～5.3eV的超宽禁带宽度，是适配全日盲紫外探测的最优基材。其中(001)晶面零孪晶氧化镓单晶的生长工艺，是全球公认的技术难题，也是制约高端探测器件量产的关键卡点。

        依托博士领衔的研发团队，国镓晶谷深耕氧化镓底层核心技术，针对性攻克(001) 晶面孪晶缺陷、晶格畸变、大尺寸均质生长等技术壁垒，成功实现2～6英寸全尺寸零孪晶氧化镓单晶稳定量产，晶体纯度、晶格完整性均达到国际一流水平。

        该项核心技术从源头解决了传统衬底响应慢、误报率高的行业痛点。规整无瑕的晶格结构大幅提升器件光电转换效率与微弱信号捕捉能力，使探测设备具备高精度、快响应、强抗干扰的特性，可适配光电对抗、空天预警、安防监测等复杂场景，逐步打破海外技术垄断。

        国镓晶谷依托研发团队，打通了“技术攻坚-材料量产-应用落地”的完整产业链，凭借自主可控的零孪晶核心工艺，持续为国产紫外探测器、高端光电装备提供高可靠、可量产的国产化核心衬底，补齐我国光电探测产业链短板。