【会员新闻】福建晶旭半导体破局：ε-Ga₂O₃从底层材料到核心装备的全链突破

        我国《电子信息制造业发展“十五五”规划》已首次将氧化镓产业化列入国家战略，氧化镓被明确为超宽禁带半导体的重点方向之一，规划中明确提出“推动宽禁带半导体产业提质升级，推动氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体产业化发展”。

晶旭破局：从底层材料到核心装备的全链突破

        在这场全球氧化镓产业化的竞速中，晶旭半导体以二十余年的技术积淀，构建起从材料、工艺到装备的完整技术链条。

        长期以来，全球BAW滤波器核心压电材料以AlN体系为主，晶旭半导体摒弃传统路线，历经二十余年深耕攻关，于2023年成功攻克硅基异质外延ε-Ga₂O₃压电薄膜产业化应用难题，实现材料、工艺、装备、理论全方位原创创新，其关键性能较国外同类产品提升20%以上，是目前全球唯一具备氧化镓基BAW滤波器压电材料自主量产交付能力的企业。

        在装备端，企业自主研发了国际首台ε-Ga₂O₃外延专用MOCVD设备，攻克腔体流场热场优化、高温抗氧化加热等核心技术。产品核心参数达到行业顶尖水准：FWHM＜0.6°、膜厚均匀性＜2%、应力＜500MPa，材料内部缺陷（C轴取向度＞98%、孔隙率＜0.1%、位错密度＜10⁶cm⁻²）少于同类压电材料，完全达到应用可量产化要求。

        在产品端，依托自研薄膜技术，晶旭半导体成功量产高良率ε-Ga₂O₃基POI晶圆，产品良率超97%。该晶圆可支撑2GHz-10GHz超高频、100MHz-1.5GHz超大带宽滤波需求，带内插损低于2dB，相较传统BAW滤波器功率容量提升1倍，在高频通信、大带宽物联网场景优势显著。

        值得一提的是，晶旭半导体采用硅基异质外延工艺，相较传统掺杂压电材料方案成本降低50%，2026年底晶旭将落地8英寸氧化镓压电材料量产线，进一步压缩生产成本，加速技术规模化普及。这一成本优势，正是目前所强调的“竞争焦点从材料性能转向全链协同与成本控制”的最佳实践注脚。

产业化提速：全球首条产线即将全面投产

        技术突破之外，晶旭半导体的产业化布局同样走在前列。

        位于龙岩市上杭工业园区——基于氧化镓压电薄膜新材料生产项目，总投资16.8亿元，占地136亩，项目建成后不仅将填补国内在氧化镓压电薄膜新材料领域的空白，也将为全球5G/6G通信、物联网及高端制造业发展提供关键材料支撑。

        2026年10月14日—16日，2026湾区半导体产业生态博览会（湾芯展WESEMiBAY2026）将在深圳会展中心（福田）盛大举办，晶旭半导体将携氧化镓基BAW滤波器压电材料、POI晶圆及高频滤波器芯片等核心产品亮相本届湾芯展，与全球半导体产业链伙伴共同探讨第四代半导体的产业化未来。

        2026年之所以成为ε-Ga₂O₃的拐点之年，不仅因为政策、资本、技术的多重共振，更因为像晶旭半导体正以实际行动将“可能”变为“可行”——从底层材料打破海外垄断，到核心装备实现自主研发，再到全球首条产线即将全面投产，晶旭半导体正在为全球第四代半导体的产业化进程贡献“中国方案”。

        10月深圳湾芯展，晶旭半导体在5号馆5C13期待与您共同见证氧化镓时代的到来。