会员风采
【会员风采】会员单位——湖南大学薪火相传团队
日期：2023-04-28阅读：251
研究团队介绍
卢继武教授，博士生导师，教授，湖南浏阳人，湖南省“百人计划”入选者。2001年于浙江大学物理系本科毕业后，获德意志学术交流中心的奖学金（DAAD）前往德国Siegen大学物理系攻读研究生，然后前往荷兰Twente大学电子信息工程学系半导体器件组攻读博士，毕业后在美国国家标准局（National Institute of Standards and Technology）半导体所的CMOS器件与可靠性组工作多年。于2015年加入湖南大学，2019年获湖南省湖湘高层次人才聚焦工程-创新人才。IEEE电子器件协会会员，湖南省电工学会委员，工信部芯火双创基地（平台）专家导师，长沙集成电路设计化基地创业专家导师，长沙市新一代半导体集成电路产业链工业特派员等。
在欧美留学工作10余年，卢继武教授积极参与从事先进互补型金属-氧化物-半导体（CMOS）集成电路器件与工艺方面的研究，包括器件可靠性电路测试，超快速电路的设计与测试、微能源芯片等等。博士阶段“微能源集成芯片”给物联网中的无线网传感器进行自供电充电，得到工业界的高度认可；在美国国家标准局主导研发的“快速测试电路测试系统”打破了当时的器件电学性能测试速度的世界记录，第一次得到器件在真实CPU中工作状态的电学特性参数。到目前发表业界顶级学术论文13篇，SCI/EI收录55篇；多次在国际电子器件领域的国际顶级会议IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM）、IEEE VLSI Symposia报告研究成果。
翟东媛副教授，博士，博士生导师。2009年于南京航空航天大学获得学士学位，2014年于南京大学获得博士学位，2016年于浙江大学博士后出站，现任湖南大学电气与信息工程学院电子系副教授。主要研究碳化硅功率器件的制备工艺与结构设计仿真，对器件的微观物理运行机制的探究尤为深入。
团队自2021年起开始了宽禁带半导体氧化镓的研究，主要研究方向有氧化镓材料的TCAD建模，栅介质/氧化镓界面工艺改善和表征，氧化镓垂直高压肖特基二极管和MOSFET的工艺研发和器件制备。
湖南大学薪火相传团队近两年毕业生共计9人，现有博士研究生4人，硕士研究生13人。
论文与科研项目
1、近两年论文
[1] Yisong Shen, Qihao Zhang, Kai Xiao, Ning Xia, Hui Zhang, Dongyuan Zhai, Min He, Jiangwei Liu, Jiwu Lu, Design and optimizing of trench Schottky barrier-controlled β-Ga2O3 Schottky diode with low turn-on voltage and leakage current, Micro and Nanostructures, 2022.
[2] Q. Zhang, Y. Shen, J. Liu, C. Tu, D. Zhai, M. He, and J. Lu, “Low Interface Trapped Charge Density for Al2O3/β-Ga2O3 (001) Metal-Insulator-Semiconductor Capacitor,” IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2022.
[3] Dongyuan Zhai, Zhipei Lv, Yi Zhao, Jiwu Lu, Pre-deposition growth of interfacial SiO2 layer by low-oxygen-partial-pressure oxidation in the Al2O3/4H-SiC MOS structure, Microelectronic Engineering, 2021.
[4] Dongyuan Zhai, Dan Gao, Jing Xiao, Xiaoliang Gong, Jin Yang, Yi Zhao, Jun Wang, Jiwu Lu, Electrical characterization of near-interface traps in thermally oxidized and NO-annealed SiO2/4H-SiC metal-oxide-semiconductor capacitors, J. Phys. D. Appl. Phys, 2020.
[5] Qihao Zhang, Jiwu Lu, Dongyuan Zhai, Jing Xiao, Min He, Jiangwei Liu, Electrical Properties of Al2O3/ZnO Metal–Insulator–Semiconductor Capacitors, IEEE Transactions on Electron Devices, 2020.
2、近五年相关科研项目
1. 碳化硅功率MOSFET的栅氧质量可靠性研究
2. SiC MOS器件中近界面缺陷的电学响应机理及工艺改善方法研究
3. SiC 电力电子器件的机理性工艺和仿真设计研究
4. 碳化硅/二氧化硅界面态对MOSFET电学性能影响的机理性和实验性研究
5. 湖湘高层次人才聚焦工程-创新人才
6. 4H-SiC MOSFET器件的界面态及可靠性研究
7. 栅介质/氧化镓界面特性及其对MISFETs器件特性影响的研究
3、主要科研方向
