【国际论文】快速热退火对等离子体增强原子层沉积Sn掺杂Ga₂O₃薄膜特性的影响

        近日由复旦大学工程与应用技术研究院、复旦大学上海碳化硅功率器件工程技术研究中心、复旦大学宁波研究院、中国科学院宁波材料技术与工程研究所和浙江省海洋材料与防护技术重点实验室联合在学术期刊《MDPI》中刊登了一篇名为Influence of Rapid Thermal Annealing on the Characteristics of Sn-Doped Ga₂O₃ Films Fabricated Using Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition（快速热退火对等离子体增强原子层沉积Sn掺杂Ga₂O₃薄膜特性的影响）的氧化镓相关论文。

内容摘要

        在本次实验，通过快速热退火（RTA）等离子体增强原子层沉积技术制造的Sn掺杂Ga₂O₃薄膜，深入研究了RTA对Sn掺杂Ga₂O₃薄膜的化学状态、表面形态、能带排列和电性能的影响。X射线光电子能谱（XPS）的结果表明，Sn原子成功地掺入了薄膜。此外，通过O 1s光谱的能量损失峰和价带光谱获得了能带排列，并充分讨论。X射线反射率（XRR）和原子力显微镜（AFM）测量表明，Sn掺杂的程度影响界面微结构和表面形态。随着Sn含量的增加，薄膜厚度减少，而粗糙度增加。最终，漏电电流-电压（I-V）特性证明，Sn掺杂的Ga₂O₃薄膜具有较大的击穿场。在I-V测试中，所有金属氧化物半导体（MOS）电容器都表现出硬击穿。本项研究揭示了一种制造具有理想性能的高性能光电器件的方法。

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