【其他论文】通过 Ga₂O₃ 纳米线的氮化反应形成的 GaN 纳米线层的填充因子和厚度的无损定量分析

        由希腊塞萨洛尼基亚里士多德大学的研究团队在学术期刊 Applied Surface Science 发布了一篇名为 Νon-destructive quantification of fill factor and thickness of GaN nanowire layers formed via nitridation of Ga₂O₃ nanowires（通过 Ga₂O₃ 纳米线的氮化反应形成的 GaN 纳米线层的填充因子和厚度的无损定量分析）的文章。

摘要

        氮化镓（GaN）纳米线网络兼具直接带隙和高表面积活性区域。表面积的定量评估与纳米线层的填充因子直接相关，填充因子定义为纳米线占据总层体积的比例。然而，由于孔径极小，传统的孔隙率测定方法并不适用。在本研究中，将生长在硅（Si）和熔融二氧化硅（SiO₂）上的 β-氧化镓（β-Ga₂O₃）纳米线在氨气（NH₃）气流下转化为 GaN 纳米线，从而形成随机取向的纳米线网络。在高氨气流速和高于 800 °C 的氮化温度下，实现了完全转化。极性纳米线的高表面积与体积比产生了拉曼活性表面光学（SO）声子，其频率取决于有效介电环境。计算了它们对填充因子的依赖性，并用于从拉曼光谱中提取填充因子值。然后将这些值纳入 X 射线荧光（XRF）分析中，以确定 GaN 纳米线层的实际厚度。填充因子在 0.3 至 0.7 之间，对应层厚度在 0.4 至 1.4 um 之间。拉曼-XRF 联合方法为确定 III–V 族半导体纳米线网络的填充因子和厚度提供了一种无损且可扩展的方法。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2026.167669