【器件论文】用于紫外光电子学的 GaN/Ga₂O₃ 纳米线异质结构的生长与表征

        由拉脱维亚大学的研究团队在学术期刊 Journal of Applied Physics 发布了一篇名为Growth and characterization of GaN/Ga₂O₃ nanowire heterostructures for ultraviolet optoelectronics（用于紫外光电子学的 GaN/Ga₂O₃ 纳米线异质结构的生长与表征）的文章。

摘要

        该团队采用脉冲激光沉积和反应磁控溅射技术，从液态镓靶沉积 β-Ga₂O₃，制备了紫外波段 GaN/β-Ga₂O₃ 异质结构，并对其平面和纳米线几何构型进行了研究。同时，通过金属有机化学气相沉积技术，生长了 GaN 纳米线阵列和平面 p 型掺镁 GaN 层。通过 X 射线衍射、X 射线光电子能谱、原子力显微镜和扫描电子显微镜等结构和形态学研究，证实了薄膜均匀性和厚度的精确控制。该团队对平面 n-Ga₂O₃/p-GaN 异质结二极管进行了电学和光电子学表征，其表现出显著的整流特性、高正向电流以及在零外部偏压下的可见光盲紫外光响应，证明了其固有的自供电运行能力。此外，该团队还开发了 GaN/β-Ga₂O₃ 核/壳纳米线异质结构，并对其进行了系统研究，重点在于形态控制和工艺优化。该团队研究了沉积参数对壳层厚度、均匀性和锥度的影响，从而提高了 β-Ga₂O₃ 涂层在 GaN 纳米线 M 面晶面上的共形性。研究结果凸显了物理气相沉积技术在形成 GaN/β-Ga₂O₃ 异质结构中的可行性，并为基于纳米线的紫外光电子器件开辟了新途径。

原文链接：

https://doi.org/10.1063/5.0332647