【器件论文】沉积后退火对 Ga₂O₃/Si 异质结深紫外光电探测器性能的影响

        由泰国国王科技大学的研究团队在学术会议 2026 The 17th International Conference on Mechanical and Intelligent Manufacturing Technologies (ICMIMT) 发布了一篇名为 Effect of Post-Deposition Annealing on the Performance of Ga₂O₃/Si Heterojunction Deep-UV Photodetectors（沉积后退火对 Ga₂O₃/Si 异质结深紫外光电探测器性能的影响）的文章。

摘要

        本研究探讨了沉积后退火（PDA）对通过射频磁控溅射技术制备的 Ga₂O₃/Si 异质结光电探测器性能的影响。在从沉积态到 900 °C 的退火温度范围内，对探测器的结构、形态和光电性能进行了系统表征。X 射线衍射（XRD）分析显示，在 900 °C 下，探测器从非晶相显著转变为晶态 β-Ga₂O₃ 相，扫描电子显微镜（SEM）观察结果进一步证实了这一转变，显示出密集且均匀的晶粒结构。在深紫外光照射下的电学测量表明，经 900 °C 退火的器件实现了优异的 550 纳安光电流，以及高达 22 的峰值光暗电流比（I_ph/I_dark）。值得注意的是，这一最佳性能是在 0.2 V 的低工作偏压下实现的，表明该器件具有高灵敏度和低功耗。这些结果凸显了热优化在提升 Ga₂O₃ 薄膜晶体质量和电荷传输效率中的关键作用，为开发用于智能工业监测应用的高性能日盲传感器提供了稳健的方案。

原文链接：

https://doi.org/10.1109/ICMIMT69639.2026.11642889