【会员新闻】镓仁8英寸氧化镓同质外延片通过科技成果评价，主要性能指标国际领先

大尺寸同质外延的技术要求

        随着外延片尺寸增大，片内生长条件差异对膜厚、载流子浓度和缺陷分布均匀性的影响更为显著。因此，评价8英寸外延工艺水平，不能仅看尺寸，还需综合考察外延均匀性、晶体质量和电学参数。

        同质外延是在氧化镓衬底上生长同种材料的外延层，有助于减少异质外延中晶格失配和热膨胀失配引起的部分问题。但同质外延并不能完全消除缺陷，衬底缺陷以及外延生长过程中引入的新缺陷，仍需通过工艺加以控制。实现8英寸同质外延，关键在于兼顾外延片尺寸扩展与质量控制。

多项指标表征外延质量

        此前的第三方检测报告显示，镓仁半导体8英寸氧化镓同质外延片的外延层平均厚度为13.05 μm，膜厚均匀性σ为0.58％；电容—电压法测得的外延层载流子浓度平均值为1.79×10¹⁶cm^-3。

        XRD摇摆曲线半高宽（FWHM）测试显示，五个点位的半高宽为21.1~46 arcsec；在AFM表面粗糙度测试中，左侧和上方点位的表面粗糙度Rq分别为0.144 nm和0.168 nm，Ra分别为0.115 nm和0.134 nm。

        上述测试从膜厚、电学特性、结晶质量和表面形貌等维度对外延片进行了表征。该外延片在8英寸下实现了约13 μm厚膜外延和10¹⁶cm^-3量级载流子浓度控制。整体晶格排列规整、缺陷密度极低，核心区域表面平整度极佳，达到高端氧化镓外延片标准。

持续推进批次与器件验证