【专利信息】氧化镓专利动态周报（10月-第十七期）：中电科十三所、杭州镓仁、晶旭半导体、三菱电机等推进氧化镓器件与材料技术布局

        国家知识产权局信息显示，中国电子科技集团公司第十三研究所申请了一项名为“一种基于离子注入还原的氧化镓PIN二极管及制备方法”的专利，申请公布号为CN122995168A，申请号为2025111430622。

        本发明提供一种基于离子注入还原的氧化镓PIN二极管及制备方法，涉及氧化镓器件技术领域。本发明能够通过将重掺杂n型氧化镓衬底作为N层，在重掺杂n型氧化镓衬底上制备I层，在I层上进行p型离子注入，并利用还原性气体高温退火激活注入离子实现p型掺杂，得到P层。还原性气体通过还原反应将氧化镓内的氧原子析出，使注入的p型离子占据氧的晶格格点，并夺取镓原子的电子，形成空穴，实现p型离子注入掺杂，降低p型掺杂氧化镓制备难度。再制备阴极电极、阳极电极，降低氧化镓PIN二极管的制备难度。

        国家知识产权局信息显示，墨子实验室申请了一项名为“VIA族元素掺杂非晶氧化镓的全光谱自然光芯片及制备方法”的专利，申请公布号为CN122995363A，申请号为2026111142916。

        本发明提供了一种VIA族元素掺杂非晶氧化镓的全光谱自然光芯片及其制备方法。全光谱自然光芯片包括p型半导体层、n型半导体层以及设置于p型半导体层与n型半导体层之间的非晶发光层。非晶发光层的材质为掺杂有VIA族元素的非晶氧化镓，VIA族元素包括S、Se和Te中的至少一种；VIA族元素用于替代非晶氧化镓中的氧位，形成阴离子掺杂，以减小非晶氧化镓的带隙。本发明能够实现单一半导体芯片直接发射全光谱连续自然光的目的。

        国家知识产权局信息显示，杭州镓仁半导体有限公司申请了一项名为“一种高压液相法生长氧化镓外延的方法、外延片和电子器件”的专利，申请公布号为CN122980017A，申请号为2026112008933。

        本发明涉及外延片技术领域，具体而言，涉及一种高压液相法生长氧化镓外延的方法、外延片和电子器件。高压液相法生长氧化镓外延层的方法包括：在惰性气氛下，将至少装有金属镓的坩埚进行加热，得到液态的镓熔体；在含氧气的高压气氛下，将衬底与镓熔体接触，进行p型外延层或n型外延层的液相外延生长，得到氧化镓外延层；生长p型外延层时，含氧气的高压气氛中还含有含氮元素气体；生长n型外延层时，坩埚中还含有金属锡。该方法能在同一平台上实现氧化镓外延层n型与p型导电类型的灵活切换，且兼顾外延层的结晶质量与生长效率，显著降低位错、层错等结晶缺陷的密度。

        国家知识产权局信息显示，杭州镓仁半导体有限公司申请了一项名为“一种掺杂氧化镓粉末的制备方法及其应用”的专利，申请公布号为CN122980039A，申请号为2026114249046。

        本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体而言，涉及一种掺杂氧化镓粉末的制备方法及其应用。所述的掺杂氧化镓粉末的制备方法，包括以下步骤：（a）将氯化镓固体进行第一烧结处理；（b）将所述第一烧结处理后的产物进行第一脉冲气态掺杂处理、第二脉冲气态掺杂处理、氧化处理、扩散均化处理和冷却。所述的掺杂氧化镓粉末的制备方法，在氧化镓的固相烧结阶段，以气态掺杂源的形式、采用脉冲式多次注入的方式引入掺杂元素，实现掺杂元素在氧化镓晶格形成过程中的原位掺杂。

        国家知识产权局信息显示，三菱电机株式会社申请了一项名为“半导体装置和电力变换装置”的专利，申请公布号为CN123023455A，申请号为2024800896529。

        半导体装置具备：氧化镓半导体层；杂质层，形成于氧化镓半导体层的第一主面的表面内，具有受主型的第一杂质，所述第一杂质的至少一部分被激活；第一凹槽，去除杂质层和氧化镓半导体层的一部分来设置，形成得比杂质层浅；第一主电极，设置于第一主面的上部；以及第二主电极，设置于氧化镓半导体层的第二主面的上部。

        国家知识产权局信息显示，墨子实验室申请了一项名为“一种基于微腔结构的氧化镓日盲紫外探测器及其制备方法”的专利，申请公布号为CN123021786A，申请号为2025105505246。

        本发明公开了一种基于微腔结构的氧化镓日盲紫外探测器及其制备方法，包括：(1)在衬底上沉积高反射金属层；(2)在高反射金属层上沉积氧化镓层并进行退火处理；(3)在氧化镓层上沉积半透明金属层；(4)沉积第一接触电极和第二接触电极并进行退火处理完成探测器件的制备。本发明通过微腔在较薄氧化镓薄膜中增强目标紫外光的吸收来提高探测性能，同时利用导电的金属薄膜在厚度较厚时具有高反射率、较薄时具有半透明且具有一定反射率的性质，将上下金属层既作为微腔结构的反射镜，又作为上下导电电极，巧妙地简化了器件结构。本发明设计与制备结构具有方法简单、成本低廉优点，有利于大规模商业化应用。

        国家知识产权局信息显示，福建晶旭半导体科技有限公司申请了一项名为“一种空腔型体声波谐振器及其制备方法”的专利，申请公布号为CN123019657A，申请号为2026108139814。

        本发明设计谐振器技术领域，公开了一种空腔型体声波谐振器及其制备方法。空腔型体声波谐振器，包括：第一衬底、支撑层、下电极层、压电层、上电极层、声反射结构层，所述支撑层具有上表面内凹形成的空腔，所述声反射结构层包括下声反射结构层和上声反射结构层，所述下声反射结构层和所述上声反射结构层均为闭合结构，所述下电极层填充所述下声反射结构层的内部并覆盖所述下声反射结构层的表面，所述上电极层填充所述上声反射结构层的内部并覆盖所述上声反射结构层的表面。实施本发明，可以有效抑制谐振器和滤波器在谐振过程中能量从谐振区域边缘耗散，进一步提升了基于氧化镓等外延材料为压电薄膜的谐振器的Q值。

        国家知识产权局信息显示，山东大学申请了一项名为“一种多功能大面积超平整非晶氧化镓薄膜及其制备方法与应用”的专利，申请公布号为CN123022128A，申请号为2026110367325。

        本发明提供一种多功能大面积超平整非晶氧化镓薄膜及其制备方法与应用。本发明非晶氧化镓薄膜的制备方法包括步骤：以镓源、氧源、表面调控剂为原料，采用低压化学气相沉积法，在衬底上利用表面调控剂辅助生长得到多功能大面积超平整非晶氧化镓薄膜。本发明方法通过在低压化学气相沉积过程中引入表面调控剂，对Ga₂O₃薄膜的初始成核行为、表面扩散过程、横向原子弛豫行为以及界面附着行为进行调控，从而促进非晶Ga₂O₃薄膜由岛状聚集生长向连续横向薄膜生长转变，实现超平滑、连续、均匀且衬底兼容性强的低成本、大面积、高效率非晶Ga₂O₃薄膜制备，以适用于柔性、透明、全向及自供电日盲光电探测器。

        国家知识产权局信息显示，西安电子科技大学申请了一项名为“具有碳化硅沟道的氧化镓场效应晶体管及其制备方法”的专利，申请公布号为CN123021727A，申请号为2026110690059。

        本发明涉及微电子技术领域，具体提出了一种具有碳化硅沟道的氧化镓场效应晶体管及其制备方法，具有碳化硅沟道的氧化镓场效应晶体管包括：SiC衬底层、p-SiC外延层、n-Ga₂O₃外延层、栅沟槽、源沟槽、Al₂O₃ 栅介质层、栅电极、源极和漏极；栅沟槽和源沟槽刻蚀深入p-SiC内部实现正阈值电压的增强型工作模式及低导通电阻；漏区设计在n-Ga₂O₃外延层中实现拥有高电场强度Ga₂O₃材料承受高电场，有效增强击穿电压；高热导率SiC衬底有效抑制自热效应；沟槽栅结构增强栅极对沟道的调控能力，抑制短沟道效应；从而实现在增强型工作模式下兼具高击穿电压、低导通电阻、高功率优值及优良散热性能的Ga₂O₃功率器件。

        国家知识产权局信息显示，龙腾半导体股份有限公司申请了一项名为“一种铟氮共掺杂氧化镓薄膜及其制备方法”的专利，申请公布号为CN123005493A，申请号为202611147336X。

        本发明公开了一种铟氮共掺杂氧化镓薄膜及其制备方法，该制备方法包括：选取承载衬底并对所述承载衬底进行预处理；将镓源、铟源和原位反应型氮源溶解于含有络合稳定剂的极性溶剂中，经恒温络合与陈化，获得铟氮共掺杂氧化镓前驱体溶胶；将所述铟氮共掺杂氧化镓前驱体溶胶涂覆于预处理后的承载衬底上，经干燥处理形成非晶态薄膜；将所述非晶态薄膜置于惰性保护气氛中，进行双阶段退火激活，获得铟氮共掺杂氧化镓薄膜。本发明的铟氮协同共掺杂调控方法制备的氧化镓薄膜，利用大离子半径铟取代镓阳离子位所产生的体积膨胀，补偿了氮阴离子取代氧节点时的局部晶格张应力，从根本上打破了氮元素在氧化镓中的热力学固溶极限。

        国家知识产权局信息显示，北京化工大学申请了一项名为“金属氧化物半导体发热材料及其制备、半导体发热元件以及污泥固废脱水干化减量化系统和方法”的专利，申请公布号为CN123003274A，申请号为2026114022460。

        本发明属于污泥固废深度脱水减量化技术领域，具体涉及金属氧化物半导体发热材料及其制备、半导体发热元件以及污泥固废脱水干化减量化系统和方法。本发明提供的金属氧化物半导体发热材料包括：主相半导体粉体75~85%、离子掺杂改性剂5~12%、低温烧结助剂3~8%、无机粘结载体2~5%；主相半导体粉体包括二氧化钛、氧化锌和氧化镓；离子掺杂改性剂包括三氧化二锑、二氧化锰、氧化钇。本发明由金属氧化物半导体发热材料制成半导体发热元件，其具备高电热转换效率、稳定低温自限温、耐酸碱腐蚀、长期功率衰减小的特性，适用于市政污水厂生化污泥、化工污泥、印染污泥、电镀污泥等各类高含水污泥低温密闭烘干减量处置。