【会议论文】钴是生产半绝缘晶体的有前途的掺杂剂：从实验和理论看钴在β-Ga₂O₃中的电荷态转变水平

        论文简介：来自莱布尼茨研究所(IKZ)和劳伦斯利弗莫尔国家实验室的Palvan Seyidov、Joel B. Varley、Zbigniew Galazka、Ta-Shun Chou、Andreas Popp、Andreas Fiedler和Klaus Irmscher联合发表的一篇名为《Cobalt a promising dopant for producing semi-insulating crystals: Charge state transition levels of cobalt in β-Ga₂O₃ from experiment and theory》的论文文章。该文章介绍了从实验和理论看钴在β-Ga₂O₃中的电荷态转变水平。