【会议论文】取向和遥测O₂等离子体暴露对SiO₂/β-Ga₂O₃ MOS电容器界面特性的影响

        论文简介：来自犹他大学电气和计算机工程、西安电子科技大学微电子学院、盛顿州立大学材料科学与工程和犹他大学材料科学与工程的Rujun Sun、Arkka Bhattacharyya、Muad Saleh、Sriram Krishnamoorthy和Michael A.Scarpulla联合发表的一篇名为《Influences of orientation and remote O₂ plasma exposure on the interface properties of SiO₂/β-Ga₂O₃ MOS capacitors》的论文文章。该文章介绍了取向和遥测O₂等离子体暴露对SiO₂/β-Ga₂O₃ MOS电容器界面特性的影响。