【会议论文】用同步加速器X射线形貌术和高分辨率X射线衍射研究高质量β-Ga₂O₃边缘定义薄膜生长单晶的晶体缺陷和晶格常数

        论文简介：来自佐贺大学电气电子工学系的Muhidul Islam Chaman、Sayleap Sdoeung和Makoto Kasu联合发表了一篇名为《Crystal defects and lattice constants of high-quality β-Ga₂O₃ edge-defined film-fed grown single crystals studied by synchrotron x-ray topography and high-resolution x-ray diffractions》的论文文章。该文章介绍了用同步加速器X射线形貌术和高分辨率X射线衍射研究高质量β-Ga₂O₃边缘定义薄膜生长单晶的晶体缺陷和晶格常数。