【会员新闻】ISPSD2023开幕在即，西安电子科技大学入选1篇口头报告和1篇海报论文

        第35届功率半导体器件和集成电路国际会议(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD)将于2023年5月28-6月1日在中国香港举办，这是ISPSD会议举办35年以来第三次在中国大陆召开，第一次是2015年在香港，第二次是2019年在上海。

        今年ISPSD论文中有7篇涉及氧化物半导体，包括学术界的5篇论文（西安电子科技大学2篇，中国科技大学1篇，南京大学1篇，弗吉尼亚理工大学1篇），此外还有2篇来自日本产业界，Novel Crystal Technology和Flosfia Inc.都瞄准了车用市场，其中Flosfia Inc.公司的Kengo Takeuchi更是受邀做大会主旨报告。

        来自西安电子科技大学微电子学院郝跃院士团队马晓华教授、李园副教授课题组的相关工作成果，分别介绍了增强型氧化镓（β-Ga₂O₃）金属异质结复合场效应晶体管和热电协同设计的氧化镓（Ga₂O₃）沟槽二极管的相关研究进展。据中国经济时报报道，在2023中国光谷九峰山论坛暨化合物半导体产业大会上，郝跃院士表示，虽然氧化物半导体离产业化应用还有一定的距离，但已经看到了其前景。与氮化镓和碳化硅相比，氧化物半导体的禁带宽度更宽，可以实现更低的损耗。但氧化物半导体也有弱点，不解决它的散热问题，就不可能实现产业化。