【会议论文】位错和杂质对蓝宝石衬底上Si掺杂α-Ga₂O₃电气性能的影响

        论文简介：来自京都大学、兵库县技术研究所、九州大学的H. Takane、H. Izumi、H. Hojo、T. Wakamatsu、K. Tanaka和K. Kaneko联合发表的一篇名为《Effect of dislocation and impurity on electrical properties of Si-doped α-Ga₂O3 on sapphire substrate》的论文文章。该文章介绍位错和杂质对蓝宝石衬底上Si掺杂α-Ga₂O₃电气性能的影响。