【会议论文】退火对κ-Ga₂O₃外延层的影响以及与氢有关的缺陷的影响

        论文简介：来自帕尔马大学数学、物理和计算机科学系、IMEM-CNR、亚琛工业大学、柏林工业大学固体物理研究所、莱布尼茨学会保罗-德鲁德固体电子学研究所和帕尔马大学化学、生命科学和环境可持续发展系的P. Mazzolini、M. Pavesi、A. Falkenstein、A. Parisini、A. Bosio、C. Borelli、V. F. S. Peltason、B. M. Janzen、M. R. Wagner、M. Bosi、 L. Seravalli、A. Ardenghi、O. Bierwagen、F. Mezzadri、M. Martin、A. Baraldi和R. Fornari联合发表了一篇名为《Annealing effect on κ-Ga₂O₃ epitaxial layers and role of hydrogen-related defects》的论文文章。该文章介绍了退火对κ-Ga₂O₃外延层的影响以及与氢有关的缺陷的影响。