【会议论文】开关偏压条件下垂直&beta-Ga₂O₃ MOSFET的电热模拟

        论文简介：来自韩国SK hunix和光州科学技术院的Junsung Park和Sung-Min Hong发表了一篇名为《Electrothermal simulation of vertical &beta-Ga₂O₃ MOSFETs under switched bias conditions》的论文文章。该文章介绍了开关偏压条件下垂直&beta-Ga₂O₃ MOSFET的电热模拟。