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【会议论文】使用高性能β-Ga₂O₃结势垒肖特基二极管的混合半波Cockcroft-Walton电压倍增器的演示

日期:2023-06-19阅读:186

        论文简介:来自中国科学技术大学微电子学院、河北半导体研究所的Feihong Wu、Yuangang Wang、Guangwei Xu、Yuanjie Lv和Shibing Long发表了一篇名为《Demonstration of hybrid half-wave Cockcroft-Walton voltage multiplier utilizing high performance β-Ga2O3 junction barrier Schottky diodes》的论文文章。该文章介绍了使用高性能β-Ga2O3结势垒肖特基二极管的混合半波Cockcroft-Walton电压倍增器的演示。