【国际论文】α- Ga₂O₃中与氢有关的3.8eV紫外发光现象

        近日，由英国思克莱德大学、利物浦大学和日本国立材料研究所共同在科学期刊《AIP Publishing》中发表了一篇名为Hydrogen-related 3.8 eV UV luminescence in α-Ga₂O₃（α-Ga₂O₃中与氢有关的3.8eV紫外发光现象）的论文。

内容摘要

        使用与温度有关的光致发光用于研究H对通过卤化物气相外延生长的α-Ga₂O₃薄膜的光学特性的影响。在低温情况下观察到以3.8 eV为中心的额外的UV发光线，这与薄膜中的H浓度密切相关。该发光线被分配给施主-受主对重组，涉及H相关的浅施主和H修饰的Ga空位（VGa-nH）作为受主，其中n=1，2，3。在先前的报告中已经提出了H对Ga₂O₃电性能的影响，而本研究显示了它对α-Ga₂O₃光学性能的明显影响。

图1. (a) 290K的样品C的PL光谱与H浓度（[H] = 1.5 × 10¹⁷ cm^-3）。显示了在290K下测量的样品C的PL光谱的对数比例，突出了3.8eV峰值的存在。(b) 使用280nm滤光片（黑色）和470nm滤光片（红色）的样品C（[H]=1.5 × 10¹⁷ cm^-3）的290K PL光谱。