【会议论文】基于β-Ga₂O₃器件的辐射响应和可靠性研究

        论文简介：来自印度理工学院物理系和印度理工学院电气工程系的N. Manikanthababu和R. Singh联合发表了一篇名为《Radiation response and reliability studies of β-Ga₂O₃-based devices》的论文文章。该文章基于β-Ga₂O₃器件的辐射响应和可靠性研究。