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【会议论文】通过MOCV实现高光敏度自供电的β-Ga₂O₃/p-GaN异质结紫外光检测器与原位GaON层的结合
日期:2023-06-30阅读:189
论文简介:来自中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院和爱荷华州立大学电子和计算机工程系的Yongjian Ma、Tiwei Chen、Xiaodong Zhang、Wenbo Tang、Houqiang Fu和Baoshun Zhang联合发表了一篇名为《High-photoresponsivity self-powered β-Ga2O3/p-GaN heterojunction UV photodetectors with In Situ GaON layer by MOCVD》的论文文章。文章介绍了通过MOCV实现高光敏度自供电的β-Ga2O3/p-GaN异质结紫外光检测器与原位GaON层的结合。