【会议论文】通过原子模拟了解Ga₂O₃和(Al,Ga)₂O₃中的点缺陷和杂质

        论文简介：来自劳伦斯利弗莫尔国家实验室的J. B. Varley发表了一篇名为《Understanding point defects and impurities in Ga₂O₃ and (Al,Ga)₂O₃ through atomistic simulations》的论文文章。该文章介绍了通过原子模拟了解Ga₂O₃和（Al,Ga）₂O₃中的点缺陷和杂质。