【国际论文】脉冲激光沉积（PLD）在蓝宝石衬底上的域匹配外延（DME）制备α-Ga₂O₃薄膜

        近日，由韩国釜庆大学在科学期刊《Springer Link》上刊登了一篇名为Domain matching epitaxy of α-Ga₂O₃ thin film on sapphire by pulsed laser deposition（脉冲激光沉积（PLD）在蓝宝石衬底上域匹配外延（DME）α-Ga₂O₃薄膜）的氧化镓论文。

内容摘要

        本研究使用脉冲激光沉积法，在c面α-Al₂O₃衬底上，通过领域匹配外延技术，制备出具有相纯度的亚稳态(00l)-定向的三方α-Ga₂O₃薄膜。领域匹配外延技术通过减小失配应变来稳定α-Ga₂O₃薄膜在α-Al₂O₃衬底上的结构不稳定性，从而实现了α- Ga₂O₃薄膜在α- Al₂O₃衬底上的外延生长。在不同厚度的α- Ga₂O₃薄膜的倒易空间映射分析中，发现晶格参数（a=4.977 Å，c=13.442 Å）和失配应变的程度均无显著差异。随着晶体质量的提高，α- Ga₂O₃薄膜的光学带隙在4~49 nm的厚度范围内从4.75 eV增加到5.3 eV，显示出α相的特性。我们的结果为利用α- Ga₂O₃/α- Al₂O₃异质结构通过域匹配外延技术稳定Ga₂O₃的亚稳态α相提供了一种简单易行的方法，具有全面的结构特性和调节功率器件、传感器和日盲深紫外光探测器带隙的良好前景。

原文链接：https://doi.org/10.1007/s40042-023-00766-1