【国际论文】沟槽栅β-Ga₂O₃ MOSFET：综述

        近日由美国爱达荷大学工程学院的研究人员在科学期刊《IOP science》发表文章，文章名为Trench gate β-Ga₂O₃ MOSFETs: a review（沟槽栅β-Ga₂O₃ MOSFET：综述）。

内容摘要

        由于其高击穿场强、Baliga高频品质因数以及相对于SiC和GaN而言具有较大尺寸的块状晶体的成本优势，氧化镓（Ga₂O₃）已成为超宽禁带半导体器件有力的候选材料。沟槽技术已广泛用于MOSFET结构的开发，以降低内阻。由于缺少p型掺杂的Ga₂O₃，沟槽栅工艺被采用作为减小n沟道厚度的一种有效方法，以确保在零栅压下沟道完全耗尽，实现增强型Ga₂O₃ MOSFET。

        沟槽栅β-Ga₂O₃ MOSFET已引起越来越多的关注。文章综述了沟槽栅β-Ga₂O₃ MOSFET的最新进展，包括垂直和平面MOSFET结构。除材料特性和晶体生长外，还讨论了沟槽栅β-Ga₂O₃ MOSFET的器件设计和制造过程。对器件性能的综述包括各种沟槽栅β-Ga₂O₃ MOSFET的静态特性、温度相关特性、射频特性和开关特性。

图1. 主要半导体和β-Ga₂O₃的导通电阻的理论极限与击穿电压的关系。

图2. (a), (b) β-Ga₂O₃垂直沟槽栅MOSFET的示意图，(c)扫描电子显微镜图像。