【会议论文】同层外延CIS-MOCVD β-Ga₂O₃的表征与薄膜厚度和衬底方向的关系

        论文简介：来自美国海军研究实验室、安捷伦科技有限公司和美国国家研究委员会博士后研究员的Marko J. Tadjer、Fikadu Alema、James Culbertson、Alan Jacobs、James Spencer Lundh、Hannah Masten、Jennifer Hite、Michael Mastro、Andrei Osinsky和Karl Hobart联合发表的一篇名为《Characterization of homoepitaxial CIS-MOCVD β-Ga₂O₃ as a function of film thickness and substrate orientation》的论文文章。该文章介绍同层外延CIS-MOCVD β-Ga₂O₃的表征与薄膜厚度和衬底方向的关系。