【国内新闻】氧化镓基肖特基势垒二极管的研究进展

        摘要: Ga₂O₃是一种新型宽禁带半导体材料，禁带宽度约为 4.8 eV，临界击穿电场理论上可高达 8 MV/cm，Baliga 优值超过 3000，因此在制作功率器件方面有很大的潜力。Ga₂O₃是继 SiC和 GaN 之后制作高性能半导体器件的优选材料，近年来受到了广泛的关注。介绍了 Ga₂O₃材料的基本物理性质，分析了Ga₂O₃基肖特基势垒二极管 ( SBD) 的优势及存在的问题。重点从器件工艺、结构和边缘终端技术等角度评述了优化 Ga₂O₃基 SBD 性能的方法，并对Ga₂O₃基 SBD 的进一步发展趋势进行了展望。

DOI: 10．13290 /j．cnki．bdtjs．2022．12．002