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【国际时事】FLOSFIA——具有世界最小级别的特性导通电阻氧化镓 SBD，构建月均100 万件的量产体制
日期：2023-08-11阅读：245
FLOSFIA在展会「TECHNO-FRONTIER 2023」中，展示了其独特的薄膜沉积技术「MISTDRY法」，以及使用此方法生长的氧化镓（Ga2O3）功率器件。
FLOSFIA是京都大学于2011年设立的一家创业公司，拥有独家开发的核心技术MISTDRY法。此技术能在大气压下生长出从纳米到微米的晶体膜，可以在各种半导体衬底上生长膜。
FLOSFIA的说明人员表示：“MISTDRY法是一种被归类为化学气相沉积（CVD）的技术。通常CVD法需要通过加热器提高生长炉的温度，然后利用真空泵抽取真空，因此会消耗大量的能量。而FLOSFIA的MISTDRY法可以在常压下进行而不需要真空泵，生长炉的温度只需要几百摄氏度，因此与常规的CVD法相比，所需的能源更少。”
另外，该公司已成功开发了使用MISTDRY法生长的Ga2O3功率器件。说明人员：“我们的核心业务是销售使用MISTDRY法生长的Ga2O3功率器件。Ga2O3是一种宽禁带半导体材料，它的带隙比被称为新材料的碳化硅（SiC）更大，潜力更高。如果我们能制造出完全利用Ga2O3优点的功率器件，那么这种器件的导通电阻将达到硅（Si）功率器件的7000倍，达到SiC功率器件的20倍。我们正在与京都大学的实验室合作，已经开发出了使用MISTDRY法生长的Ga2O3的Schottky Barrier Diodes（SBD），实现世界最小级别的特性导通电阻。"
「GaO SBD」
搭载了「GaO SBD」的评估板（左）和大阪电源制造商和光电研试制的搭载了「GaO SBD」的DCDC变频器（右）
该公司已将这种SBD作为世界上首个Ga2O3功率器件，并以「GaO SBD」的产品名称进行产品化。已在2021年限量向有需求的企业提供样品。目前，该公司正在推进构建GaO SBD用Ga2O3芯片的大规模生产体系。据了解，位于京都市西京区的公司总部和工厂已经具备了每月生产100万至200万枚GaO SBD用Ga2O3芯片的能力。
该公司的说明人员表示：“已经有数家从我们这里拿到GaO SBD样品的公司表示他们打算在实际产品中引入我们的产品。我们正在针对这些公司建立大规模生产体系。在GaO SBD的销售和社会实现的成果积累之后，我们将寻求进一步的市场扩大。在未来，我们还希望尝试开发使用Ga2O3的晶体管。”
另外，FLOSFIA购入了市售的蓝宝石衬底，并使用MISTDRY法在此衬底上生长Ga2O3晶体，以生产Ga2O3晶圆，负责半导体的前期工序，而后期的封装工序，将委托给合作伙伴公司完成。
