【国际论文】通过流调制外延与卤化物气相外延在蓝宝石衬底上异质外延生长厚 α-Ga₂O₃ 薄膜

        由韩国全南大学的研究团队在科学期刊《Crystal Growth & Design》中发表了一篇名为Heteroepitaxial Growth of Thick α-Ga₂O₃ Films on Sapphire Substrates by Flow Modulation Epitaxy with Halide Vapor Phase Epitaxy（通过流调制外延与卤化物气相外延在蓝宝石衬底上异质外延生长厚 α-Ga₂O₃ 薄膜）的文章。

摘要

        本研究采用卤化物气相外延流调制外延法（FME）在蓝宝石衬底上生长了10μm厚的单晶α-Ga₂O₃外延层。通过优化气体的间隔时间，可以在没有任何裂纹的情况下生长高结晶的厚度α-Ga₂O₃外延层。采用扫描电子显微镜和原子力显微镜对生长后的α-Ga₂O₃进行评估，以分析外延层表面形貌和粗糙度的改善，而X射线衍射则用于评估结晶性。在优化的O₂ FME条件下，厚的α-Ga₂O₃薄膜在（101̅4）平面上的半峰宽（fwhm）为779角秒，而参考和HCl FME条件下（101̅4）平面半峰宽值分别为1137和925角秒。结果表明，在O₂ FME条件下生长的α-Ga₂O₃外延层具有最佳质量。这证实了目前生长高质量α-Ga₂O₃厚膜的方法是稳定的。

原文链接：https://doi.org/10.1021/acs.cgd.3c00882