【国内论文】氧气对 MOCVD 低温沉积 Ga₂O₃ 的影响

        由西安电子科技大学的研究团队在材料科学期刊《Crystal Growth & Design》发布的一篇名为Influence of Oxygen on Ga₂O₃ Deposition at Low Temperature by MOCVD（氧气对 MOCVD 低温沉积 Ga₂O₃ 的影响）的文章。

摘要

        本研究利用金属有机化学气相沉积技术，在400°C的温度下，在蓝宝石衬底上制备了Ga₂O₃薄膜。该研究重点考察了氧气对在相对较低温度下合成的Ga₂O₃薄膜的表面形貌、相变和光学特性的影响。X射线衍射测试表明，所有薄膜都是多晶的，具有混合的β和ε相。随着氧气流速从1400到1800 sccm的增加，β-Ga₂O₃成为主导材料。原子力显微镜分析显示均方根粗糙度减小。扫描电子显微镜测得的薄膜厚度分别为285.3、257.6、243.2和254.2 nm。高分辨透射电子显微镜证实了在2100 sccm氧气流速下存在混合相结构。此外，X射线光电子能谱结果表明，将氧气流速从1400增加到1800 sccm可以有效减少薄膜中的氧空位和缺陷。然而，过量的氧气流量（2100 sccm）导致预反应的加剧和薄膜结晶质量的恶化。

原文链接：https://doi.org/10.1021/acs.cgd.3c00815