【国内论文】可调谐铝掺杂 Ga₂O₃ 薄膜和光电探测器的特性

        近期，由复旦大学的研究团队在学术期刊《Nanotechnology》发布的一篇名为Characteristics of tunable aluminum-doped Ga₂O₃ thin films and photodetectors（可调谐铝掺杂 Ga₂O₃ 薄膜和光电探测器的特性）的文章。

摘要

        利用等离子体增强原子层沉积（PE-ALD）技术制备了铝掺杂的Ga₂O₃（AGO）薄膜。系统研究了AGO薄膜的生长机制、表面形貌、化学组成和光学性质。AGO薄膜的带隙理论上可设定在4.65-6.8 eV之间。基于典型的AGO薄膜为基础，制作了金属-半导体-金属光电探测器（PDs），并考察了其光电响应。初步结果表明，PE-ALD生长的AGO薄膜具有高质量和可调谐的带隙，而AGO PDs在性能上优于未掺杂的薄膜。采用PE-ALD制备的AGO有望成为新一代基于氧化镓的光电探测器进入深紫外领域的重要途径。

原文链接：https://doi.org/10.1088/1361-6528/ad1afc