【国内论文】基于非极性 (110)-面 GaN 热氧化 (010)-面 β-Ga₂O₃ 的高性能日盲光电探测器

        基于从非极性（110）面GaN热氧化而成的（010）面β-Ga₂O₃，制备了一种高性能平面结构金属-半导体-金属型日盲光电探测器（SBPD）。与异质外延生长的（−201）面β-Ga₂O₃的大多数报道结果相比，（020）面β-Ga₂O₃的X射线摇摆曲线的半高全宽为0.486°，达到了较好的全宽半最大值。由于相对较高的晶体质量，5 V时的暗电流仅为6.30 × 10^–12A，而在600 μW/cm²的254 nm照射下，光电流达到了1.86 × 10^–5A。因此，计算得出的光暗电流比、特定检测率、响应率和外部量子效率分别为2.95 × 10⁶、2.39 × 10¹² Jones、3.72 A/W和1815%。此外，SBPD在时间相关的光响应特性中表现出优异的重复性和稳定性，上升和衰减过程的快速松弛时间常数仅为0.238和0.062 s。本研究提供了一种制备器件级（010）面β-Ga₂O₃薄膜的有前景的方法，并提供了（010）面β-Ga₂O₃和（110）面氮化镓的外延生长的新途径。

原文链接：https://doi.org/10.1021/acsami.4c01806