【国际时事】俄亥俄州立大学成功举办GOX 2024氧化镓研究研讨会

俄亥俄州立大学电气与计算机工程系和材料科学与工程系的Hongping Zhao教授，为本次GOX 2024 联合主席。

        “俄亥俄州立大学致力于在半导体研究方面取得卓越成就，并培养未来几代这一关键领域的工作力量”。Zhao教授提到“今年我们很荣幸可以在俄亥俄州立大学主办GOX 2024。我想向我们的杰出演讲者、赞助商、委员会成员、学生志愿者以及所有与会者表示衷心的感谢。在为期三天的活动中，我们见证了在氧化镓材料、结构、器件和电路开发方面取得的巨大进展。”

        氧化镓（Ga₂O₃）是一种超宽禁带半导体，在提高功率电子器件效率、减小尺寸以及降低成本方面发挥着越来越重要的作用。

        本次参会者在GOX 2024中讨论了多个主题，包括晶锭和外延生长、理论、建模和仿真、材料表征、器件和电路的进展、热管理、电热协同设计和异质结构等。

        大会的主旨演讲者包括来自日本NCT的佐佐木公平、布法罗大学的Uttam Singisetti和加州大学圣巴巴拉分校的Chris Van de Walle。此外，还有多位受邀演讲者，包括James Speck、Yoshinao Kumagai、John S. McCoy、Adam Neal、Siddharth Rajan、Jianqiao Ye和IMR执行董事同时担任了会议的顾问委员会成员的Steven Ringel。

GOX 2024 演讲者佐佐木公平，来自日本 NCT公司。

俄亥俄州立大学电气与计算机工程系和材料科学与工程系的Siddharth Rajan教授。