
论文分享
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【国内论文】山东大学陶绪堂教授研究团队——利用 EFG 法生长的 2 英寸直径 (010) 主面 β-Ga₂O₃ 单晶体
[ 2025-03-04 ] -
【国际论文】新加坡国立大学丨优化fin倾斜角度以提高横向 β-Ga₂O₃ MOSFET 的电气性能
[ 2025-03-04 ] -
【国内论文】云林科技大学——利用射频溅射和热扩散合金法制备带隙可调的氧化铝镓深紫外光探测器
[ 2025-03-04 ] -
【国际论文】利用 200 keV C⁺ 强脉冲离子束改变氧化镓薄膜的光学和光电特性
[ 2025-03-04 ] -
【衬底论文】采用EFG法对氧化镓进行多物理场全流程模拟
[ 2025-03-04 ] -
【衬底论文】退火温度对 Ga₂O₃:Tb³⁺ 材料光致发光特性的影响
[ 2025-03-04 ] -
【衬底论文】限边馈膜生长法生长 β-Ga₂O₃ 单晶时固液界面处的掺杂偏析
[ 2025-03-04 ] -
【国际论文】波兰科学院&IKZ——电场对Cz法生长的(100)向β-Ga₂O₃晶体中Ec-0.18 eV电子陷阱能级的影响
[ 2025-03-03 ] -
【国际论文】限边馈膜生长过程中利用预熔辅助对 β-Ga₂O₃ 进行杂质控制
[ 2025-03-03 ] -
【国内论文】北京工业大学——β-Ga₂O₃ 在 h-BN 上的生长模式:Remote 外延和 van der Waals 外延
[ 2025-03-03 ]