【会员新闻】富加镓业突破性进展——国内首次实现坩埚下降法生长3英寸氧化镓晶体

        2024年7月，杭州富加镓业科技有限公司（简称“富加镓业”）在国内首次采用坩埚下降法（VB）生长了3英寸氧化镓单晶，这是该公司在氧化镓单晶生长领域取得的又一次重大突破，标志着该公司在氧化镓单晶生产技术上又迈出了重要一步，为国内半导体材料的产业化注入了新的活力。

图1  VB法氧化镓晶锭

图2  VB法氧化镓晶圆片

        据了解，富加镓业始终坚持产业化导向，曾先后突破导模法（EFG）6英寸导电型、绝缘型氧化镓衬底生长技术及EFG“一键长晶”装备等。此次他们基于模拟仿真技术，成功研制了VB法氧化镓长晶装备，并实现了3英寸氧化镓单晶的成功生长。

        VB法生长氧化镓晶体无需使用铱金，大大降低了生长成本。同时，生长过程温度场均匀，温度梯度较小，更易实现大尺寸、高质量氧化镓晶体的生长。此外，VB法生长过程稳定，更适合自动、规模化生产。展望未来，富加镓业将继续加大研发投入，推动氧化镓单晶技术的进一步优化和应用拓展。

关于富加镓业：

        杭州富加镓业科技有限公司成立于 2019年 12 月 31 日，是杭州光学精密机械研究所注册成立的第一家“硬科技〞企业，公司以“让世界用上好材料”为愿景，开展宽禁带半导体氧化镓材料的产业化工作，主要从事氧化镓单晶材料生长、氧化镓衬底及外延片研发、生产和销售工作，产品主要应用于功率器件、微波射频及光电探测等领域。

        目前，公司已获得多项荣誉：

        2022年获得浙江省科技型中小企业；2023年获得国家高新技术企业；2024年获得杭州市企业高新技术研发中心及浙江省专精特新中小企业；在氧化镓领域，承担了国家发改委项目1项，国家工信部项目1项，参与了国家自然科学基金委、浙江省、上海市等国家及省部级项目3项。另外，获得国际专利授权12项（美国6项，日本6项），国内专利授权40项，“富加镓业”商标认证注册3项，软件著作权（“一键长晶”控制软件）3项。