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【会员新闻】镓仁·新突破︱成功制备VB法(非铱坩埚)2英寸氧化镓单晶，未来可期
日期：2024-10-31阅读：223
2024年10月，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称镓仁半导体）在氧化镓晶体生长方面实现新的技术突破，基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备(非铱坩埚)，采用垂直布里奇曼法(VB)成功生长出不同掺杂类型的2英寸氧化镓单晶（非故意掺杂(UID)和n型），在国内尚属首次。
垂直布里奇曼法2英寸氧化镓单晶（UID）
垂直布里奇曼法2英寸氧化镓单晶（n型）
国际上氧化镓衬底制造商正在逐渐采用VB法这一创新技术，以迭代传统的导模法氧化镓单晶生长方法。VB法以其显著的竞争优势，正成为行业的新宠：
1、VB法不使用贵金属铱坩埚，无需考虑坩埚的氧化损耗，与常见使用铱坩埚的生长方法相比，该成本最高可降低至1/50。
2、VB法可采用空气气氛生长单晶，能够有效抑制氧化镓的高温分解，减少因坩埚腐蚀晶体中的夹杂物等缺陷，提升晶体质量。
3、VB法温度梯度小，因晶体热应力诱生的位错数量少，晶体质量高。
4、VB法晶体在坩埚内生长，晶体直径即坩埚直径，因此无需控制晶体直径，技术难度低且稳定性高，易实现自动化控制。
此外，导电型(n型)氧化镓单晶衬底不仅具有优异的导通特性，还能散出器件产生的热量，显著提升器件性能，因此氧化镓单晶的n型掺杂是业内重点关注的方向之一。镓仁半导体突破了VB法n型掺杂技术，能够提供多晶面2英寸n型衬底，为后续外延、器件环节提供更多选择，为氧化镓产业链发展提供新助力。
今年9月，镓仁半导体推出了自研氧化镓专用晶体生长设备，不仅能够满足氧化镓生长所需的高温和高氧环境，而且能够进行全自动化晶体生长，减少了人工干预，显著提高生产效率和晶体质量。目前，国内外氧化镓市场供应的晶圆级衬底尺寸主要集中在2英寸和4英寸。我们的设备在能够生产多种不同晶面的单晶氧化镓的同时，还具备了升级至4英寸单晶的能力。这不仅适应了不断进步的外延技术和器件需求，还能满足高校、科研机构以及企业客户在氧化镓晶体生长方面进行科研和生产的各项需求。
此次的重大突破，不仅成功打破了西方国家在氧化镓设备、材料领域的技术封锁，并且为国家重大需求提供了有力支撑。公司将不断致力于在氧化镓产业链中持续创新，为我国半导体产业的发展提供坚实的产品保障。
镓仁半导体自2022年9月成立以来，便以其卓越的科技实力在宽禁带半导体材料领域崭露头角。作为一家集研发、生产、销售于一体的高新技术企业，镓仁半导体专注于氧化镓衬底、外延、设备的发展，致力于推动半导体技术的革新。自成立以来，镓仁半导体荣获国家级科技型中小企业、浙江省创新型中小企业、浙江省科技型中小企业等荣誉，并成功获得了萧山区“5213”项目（卓越类）和杭州市萧山区领军型创新创业项目的支持，这些荣誉和项目支持彰显了镓仁半导体在技术创新和产业应用方面的领先地位。
展望未来，镓仁半导体的研发团队将不断追求创新，致力于研发成本效益更高、质量更优的氧化镓衬底，推动氧化镓产业向更高质量发展迈进，并为实现“碳中和”和“碳达峰”的目标贡献自己的力量。
公司简介
杭州镓仁半导体有限公司成立于2022年9月，是一家专注于氧化镓等宽禁带半导体材料研发、生产和销售的科技型企业。公司开创了氧化镓单晶生长新技术，拥有国际、国内发明专利十余项，突破了西方国家在氧化镓衬底材料上的垄断和封锁。镓仁半导体立足于解决国家重大需求，将深耕于氧化镓上游产业链的持续创新，努力为我国的电力电子等产业的发展提供产品保障。
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