【器件论文】通过晶格对称和带排列工程获得的超灵敏自供电柔性晶体 β-Ga₂O₃ 基光电探测器

摘要

        由于便携和自供电的特点，近年来构建能够在各种复杂环境中提高适应性的基于Ga₂O₃的半导体柔性器件引起了广泛关注。然而，传统的基于Ga₂O₃的柔性异质结通常基于非晶或晶体质量较差的Ga₂O₃材料，这严重限制了相应器件的性能。在此，通过晶格对称性和能带对齐工程，我们构建了一种高质量的晶体柔性NiO/β-Ga₂O₃ p–n自供电光电探测器。由于其适宜的能带对齐结构，该器件在零偏压下表现出高的光电流比（1.71 × 10⁵）和高检测灵敏度（6.36 × 10¹⁴ Jones），其性能优于大多数基于刚性基板的Ga₂O₃自供电光电探测器。此外，所制造的光电探测器在弯曲条件下表现出优异的机械稳定性和鲁棒性，展示了其在柔性光电子器件中潜在的实际应用。这些发现为柔性自供电光电探测器中的晶格和能带工程操作提供了见解，并为设计其他基于Ga₂O₃的柔性电子器件提供了指导。

原文链接：

https://doi.org/10.1021/acsami.4c05643