【器件论文】基于雾化学气相沉积法生长的掺硅 α-Ga₂O₃ 薄膜的高性能日盲型光电探测器

        近期，由山东大学的研究团队在学术期刊Journal of Alloys and Compounds发布了一篇名为High-performance solar-blind photodetector based on Si-doped α-Ga₂O₃ thin films grown by Mist Chemical Vapor Deposition（基于雾状化学气相沉积法生长的掺硅 α-Ga₂O₃ 薄膜的高性能日盲型光电探测器）的文章。

摘要

        由于其宽带隙以及优异的化学和物理特性，α-Ga₂O₃在光电探测器领域中受到了越来越多的关注。使用一种经济实惠且非真空的雾状化学气相沉积（Mist-CVD）技术，在蓝宝石衬底上成功沉积了Si掺杂的α-Ga₂O₃单晶外延薄膜。利用该薄膜制备了具有优异性能的叉指式金属-半导体-金属（MSM）光电探测器。在254 nm照射和20 V偏压下，该光电探测器具有高达3.24×10⁶的光暗电流比、3.23×10² A/W的响应度、8.80×10¹⁵ Jones的探测度以及1.58×10⁵%的外量子效率。结果表明，Si掺杂的α-Ga₂O₃薄膜在高性能光电探测器应用方面具有巨大的潜力。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2024.175593