【器件论文】基于 Ga₂O₃ /MoS₂ Van der Waals异质结构的光电神经形态逻辑存储设备具有高整流和开/关比率

        由西北工业大学的研究团队在学术期刊Advanced Functional Materials发布了一篇名为Optoelectronic Neuromorphic Logic Memory Device Based on Ga₂O₃/MoS₂ Van der Waals Heterostructure with High Rectification and On/Off Ratios（基于 Ga₂O₃/MoS₂ Van der Waals异质结构的光电神经形态逻辑存储设备具有高整流和开/关比率）的文章。

摘要

        开发具有多重功能（包括传感、存储和计算）的先进光电子器件被认为是半导体光电子学的前沿，旨在满足新兴功能多样化的需求。在本研究中，通过将n型Ga₂O₃与n型MoS₂片层堆叠，制备了一种Ga₂O₃/MoS₂异质结构光电子器件，该器件具有约10⁵的高整流比和约10⁸的高开关比，达到1.34 × 10⁹ Jones的高探测率和28.92 mA/W的高响应度。更重要的是，该Ga₂O₃/MoS₂异质结构器件显示出同时集成传感和记忆的潜在能力，可用作人工神经形态突触。该器件表现出卓越的光诱导突触功能，包括短期可塑性、长期可塑性和成对脉冲促进，实现了通过巴甫洛夫联想学习将光信号与电信号耦合的能力。最后，该器件还展示了作为光电子逻辑门AND的信息处理能力，通过协同调节光的开/关状态和门电压来实现。这项研究引入了一种创新策略，旨在开发新一代高度集成传感、存储和逻辑处理功能的光电子器件，展示了在构建高效人工神经形态视觉和逻辑系统方面的巨大应用前景。

原文链接：

https://doi.org/10.1002/adfm.202408978