【器件论文】NiOₓ/β-Ga₂O₃ 合并PIN肖特基二极管中的场管理：模拟研究与实验验证

        近期，由阿卜杜拉国王科技大学的研究团队在学术期刊Journal of Physics D: Applied Physics发布了一篇名为Field management in NiO_x/β-Ga₂O₃ merged-PIN Schottky diodes: simulation studies and experimental validation（NiO_x/β-Ga₂O₃ 合并PIN肖特基二极管中的场管理：模拟研究与实验验证）的文章。

摘要

        近年来，p 型 NiO_x 已成为实现千伏级 β-Ga₂O₃ 基 PN 结二极管的有前途的替代材料。然而，目前仅有少数研究实现了使用 NiO_x 作为保护环或浮动环的 β-Ga₂O₃ 基单极二极管。在本研究中，我们通过技术计算机辅助设计仿真和实验验证，研究了 NiO_x/β-Ga₂O₃ 单极二极管的器件设计。我们展示了一种系统的电场管理方法，该方法有望实现 NiO_x/β-Ga₂O₃异质结单极二极管，并在不严重影响开启状态电阻的情况下提供增强的击穿特性。因此，证明了在合并 PIN 肖特基结构中，NiO_x/β-Ga₂O₃异质结二极管的性能优于常规的肖特基二极管或结势垒肖特基二极管。我们相信本研究中进行的分析对于使用不同 p 型半导体作为保护环和浮动环的 β-Ga₂O₃ 基单极二极管的器件设计具有重要价值。

原文链接：

https://doi.org/10.1088/1361-6463/ad632c