【外延论文】采用时分传输金属有机化学气相沉积法生长的高质量、高迁移率、重掺锡β-Ga₂O₃ 薄膜

        近期，由西安电子科技大学的研究团队在学术期刊Journal of Alloys and Compounds发布了一篇名为High Quality heavy Sn doping β-Ga₂O₃ film with high Mobility grown by time division transport Metal Organic Chemical Vapor Deposition（采用分时传输金属有机化学气相沉积法生长的高质量、高迁移率、重掺锡β-Ga₂O₃ 薄膜）的文章。

摘要

        使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）的长距离时分传输法，在 (100) Ga₂O₃衬底上沉积了具有高迁移率、高质量的重锡 (Sn) 掺杂同质外延 β-Ga₂O₃薄膜。研究了不同锡源流量条件下薄膜的结构、成分、拉曼光谱及电学特性。在室温下，载流子迁移率达到 139.89 cm²/(V·s)，对应的施主浓度为 2.78×10¹⁹ cm^-3；在 114 K 时，迁移率的峰值达到 444.9 cm²/(V·s)。这一室温迁移率在相同掺杂浓度水平下目前是最高的。此外，结合第一性原理计算分析，研究结果表明，时分传输技术有助于调节锡取代 Ga_II 位点的方式。该研究的结论对拓展超宽禁带氧化镓在高功率微波和功率电子器件中的潜在应用具有重要意义。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2024.175756