【器件论文】通过沉积后退火提高SiO₂/β-Ga₂O₃ (001) MIS 电容器的电气性能

        近期，由湖南大学的研究团队在学术期刊Materials Science in Semiconductor Processing发布了一篇名为Improved electrical performance for SiO₂/β-Ga₂O₃ (001) MIS capacitor by post-deposition annealing（通过沉积后退火提高SiO₂/β-Ga₂O₃ (001) MIS 电容器的电气性能）的文章。

摘要

        在本研究制备了一种高性能的SiO₂/β-Ga₂O₃ (001)金属-绝缘体-半导体（MIS）电容器，并研究了低温后沉积退火（PDA）对其电学特性的影响。经过PDA处理后，SiO₂/β-Ga₂O₃ (001) MIS电容器表现出改善的栅漏电流和击穿电场。高频电容-电压迟滞曲线显示，通过PDA工艺，固定电荷密度以及快速和深近界面陷阱电荷密度均有所降低。通过 400 °C 退火，在能量低于 β-Ga₂O₃ (001) 传导带 0.6 eV 时实现了低至 1.6 × 10¹¹ cm^-2 eV^-1 的界面陷落电荷密度。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.108777