【器件论文】混相 β-Ga₂O₃：Zn/SnO₂ 层内异质结紫外线光电探测器的波长调制和快速响应

        近期，由长春理工大学的研究团队在学术期刊ACS Applied Materials & Interfaces 发布了一篇名为Wavelength Modulation and Fast Response of Mixed-Phase β-Ga₂O₃：Zn/SnO₂ in-Plane Heterojunction Ultraviolet Photodetectors（混相 β-Ga₂O₃：Zn/SnO₂ 层内异质结紫外线光电探测器的波长调制和快速响应）的文章。

摘要

        采用低成本、简易的制备方法，在c-蓝宝石衬底（c-Al₂O₃）上掺杂形成了基于宽带隙混合相β-Ga₂O₃：Zn/SnO₂薄膜的紫外光探测器，从而构建了面内异质结。混相薄膜光电探测器具有低暗电流（0.74 nA），且光电流与暗电流的比值在 10 V 下从 36.43 增加到 642.38。光电探测器还具有波长调制，响应峰值范围从 260 nm（4 mA/W）到 295 nm（1.63 A/W）。此外，光电探测器的响应时间较快，在 1 V 下，上升时间为 0.07 s/0.22 s，下降时间为 0.04 s/0.22 s。器件的优异性能归因于 V_O（氧空位）的减少和混相薄膜中多个电场的建立，这表明采用溶胶–凝胶法实现波长调制和快速响应的 β-Ga₂O₃ 光电探测器的可行性。

原文链接：

https://doi.org/10.1021/acsami.4c07802