【器件论文】连续开关应力下 β-Ga₂O₃ 肖特基势垒二极管中拖曳诱导动力学的综合研究

        近期，由台湾清华大学的研究团队在学术会议2024 International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD 2024)上发表了一篇名为Comprehensive Study on Trapping-Induced Dynamics in β-Ga₂O₃ Schottky Barrier Diodes Under Continuous Switching Stress（连续开关应力下 β-Ga₂O₃ 肖特基势垒二极管中拖曳诱导动力学的综合研究）的文章。

摘要

        本文对基于β相氧化镓（Ga₂O₃）肖特基势垒二极管的静态和动态特性进行了全面研究。研究表明，β-Ga₂O₃ SBDs在连续开关应力下的动态性能表现出显著的肖特基势垒高度不稳定性。随着负应力电压（V_stress）的增加，势垒高度随之增加。本文提出了一种优化的电流瞬态方法来表征器件的陷阱信息，主导陷阱的活化能量被表征为Ec−0.76 eV，−0.62 eV和−0.47 eV。这些发现为β-Ga₂O₃基器件在电源开关应用中可能存在的不稳定性提供了证据，并为减少不稳定性问题提供了路径。

DOI：

doi.org/10.1109/ISPSD59661.2024.10579683